Простий
пошук
Розширений
пошук
Покажчики
Професійний
пошук
Рубрикатор
НБУВ
Розподілений
пошук

Бази даних

Наукова періодика України - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Наукова періодика України
Тематичний навігатор
Авторитетний файл імен осіб
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Реферативна база даних (3)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій


Пошуковий запит: (<.>A=Trubaieva O$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 3
Представлено документи з 1 до 3
1.

Trubaieva O. G. 
Band gap change of bulk ZnSxSe1 – x semiconductors by controlling the sulfur content [Електронний ресурс] / O. G. Trubaieva, A. I. Lalayants, M. A. Chaika // Український фізичний журнал. - 2018. - Т. 63, № 1. - С. 32-36. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UPhJ_2018_63_1_6
Об'ємні кристали ZnSxSe1-x було вирощено за методом Бриджмена - Стокбаргера. Прозорість зразків ZnSxSe1-x становила від 67 до 56 % на <$Elambda~=~1100> нм (товщина зразка 4 мм), що вказує на високу оптичну якість кристалів. Оптичні експерименти показали відсутність нових станів з включенням сірки, заборонена зона безперервно рухається зі складом. Оптична ширина забороненої зони ZnSxSe1-x кристала варіювалася від 2,59 до 2,78 еВ для прямих переходів і від 2,49 до 2,70 еВ для непрямих переходів.
Попередній перегляд:   Завантажити - 705.409 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
2.

Trubaieva O. G. 
Band gap change of bulk ZnSxSe1 – x semiconductors by controlling the sulfur content [Електронний ресурс] / O. G. Trubaieva, A. I. Lalayants, M. A. Chaika // Ukrainian journal of physics. - 2018. - Vol. 63, № 1. - С. 33-37. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Ukjourph_2018_63_1_6
Об'ємні кристали ZnSxSe1-x було вирощено за методом Бриджмена - Стокбаргера. Прозорість зразків ZnSxSe1-x становила від 67 до 56 % на <$Elambda~=~1100> нм (товщина зразка 4 мм), що вказує на високу оптичну якість кристалів. Оптичні експерименти показали відсутність нових станів з включенням сірки, заборонена зона безперервно рухається зі складом. Оптична ширина забороненої зони ZnSxSe1-x кристала варіювалася від 2,59 до 2,78 еВ для прямих переходів і від 2,49 до 2,70 еВ для непрямих переходів.
Попередній перегляд:   Завантажити - 702.099 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
3.

Trubaieva O. G. 
Mixed ZnSxSe1–x crystals as a possible material for alpha-particle and X-ray detectors [Електронний ресурс] / O. G. Trubaieva, M. A. Chaika, O. V. Zelenskaya // Ukrainian journal of physics. - 2018. - Vol. 63, № 6. - С. 546-551. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Ukjourph_2018_63_6_12
Попередній перегляд:   Завантажити - 870.078 Kb    Зміст випуску     Цитування
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського